• В Институте прикладной физики РАН разработан алмазный диод Шоттки на основе CVD алмаза.
• Алмазный диод Шоттки может использоваться в мощных высоковольтных преобразователях напряжения и радиационно-стойких датчиках ионизирующего излучения.
• В плазмохимическом реакторе на монокристаллической подложке выращивалась структура из двух слоев алмаза, сильно и слабо легированных бором.
• Создан сильно легированный бором слой алмаза с высокой концентрацией бора и низким удельным электрическим сопротивлением.
• Диоды Шоттки могут работать в широком диапазоне температур и плотностей тока до 1000 А/см2.
• Превосходное кристаллическое качество алмаза позволило достичь высоких пробойных полей диодов.
• Алмазный диод Шоттки имеет сверхнизкие токи утечки и может использоваться в качестве малошумящих датчиков различных высокоэнергетических частиц и излучений.
• Впервые продемонстрирована возможность измерения температуры силового диода с помощью диода-сенсора меньшего диаметра.