Результатов найдено: 31
В СПбГУ объяснили механизм формирования материалов для нового поколения оптоэлектронных устройств
26 авг 2024
0
0
…параметры для теоретического описания роста InGaN-наноструктур.
Трехмерные структуры на сплаве индий-галий-нитрид / © В. О…