Ученые усовершенствовали технологию производства материала для запоминающих устройств нового поколения

Ученые разработали методику получения наноструктурных материалов на основе диоксида циркония с кислородными вакансиями.
Синтезированные материалы перспективны в электронике для элементов запоминающих устройств.
Результаты исследования опубликованы в журнале Vacuum.
Диоксид циркония рассматривается как новый материал для энергонезависимой памяти и транзисторов.
Он хорошо совместим с кремнием и его способностью проводить ток можно управлять.
Получение материала с большим количеством кислородных вакансий сложно из-за его стабильности при высоких температурах.
Ученые разработали технологию для эффективного получения оксида циркония с тетрагональной фазой при комнатной температуре.
Разработанная технология позволит синтезировать нужную фазу оксида циркония в промышленных масштабах.