Kioxia и SanDisk создают флеш-память с рекордной плотностью: 5 Гбайт на 1 кв. мм

Kioxia и SanDisk разрабатывают 3D QLC NAND флеш-память с плотностью 37,6 Гбит/мм² (4,7 Гбайт/мм²).
Новые чипы позволят размещать до 8 Тбайт на кристалл и обеспечат скорость записи более 85 Мбайт/с.
Инженеры представят чипы BiCS10 QLC на Международной конференции по твердотельным схемам ISSCC.
BiCS10 QLC будет хранить 4 бита на ячейку и обеспечивать плотность 37,6 Гбит/мм².
Новая BiCS10 QLC сможет конкурировать с SK hynix V9 QLC, хотя точных данных о плотности нет.
Шестиуровневая архитектура BiCS10 QLC обеспечит скорость записи более 85 Мбайт/с, что выше, чем у V9 QLC SK hynix.
Kioxia и SanDisk увеличивают число слоев с 218 до 332 для конкуренции с будущей Samsung V10.