• Ученые Физического института им. П.Н. Лебедева РАН создали идеальную границу раздела ферромагнетик-антиферромагнетик в слоистом антиферромагнитном кристалле EuSn₂As₂.
• Исследователи вырастили монокристаллы EuSn₂As₂ и обнаружили атомарно-тонкие планарные дефекты вторичной фазы.
• Структурная единица планарного дефекта EuSnAs2 содержит нечетное число атомов европия и обладает нескомпенсированным магнитным моментом.
• Слабый ферромагнитный порядок в объемных антиферромагнитных кристаллах EuSn₂As₂ подтвержден измерениями электросопротивления, намагниченности и спиновой восприимчивости.
• Слоистые магнитоупорядоченные материалы служат основой для создания спинтронных устройств с высокой степенью спиновой поляризации и быстрым управлением спином.
• Формирование идеальной границы раздела фаз с ферромагнитным и антиферромагнитным упорядочением возможно и для других слоистых квазидвумерных кристаллов с магнитными и немагнитными атомами с переменной валентностью.