- Физики впервые засняли перемещение зарядов через границу полупроводников с помощью сканирующей электронной микроскопии.
- Исследование основано на визуализации переноса зарядов через гетеропереход между кремнием и германием.
- Ультрабыстрые лазерные импульсы использовались для разделения изображений исследуемого образца и создания видео.
- Наблюдение за процессом захвата зарядов на гетеропереходах может стать важным для проектирования полупроводниковых устройств.
- Исследование опубликовано в журнале Proceedings of the National Academy of Sciences.
Ультрабыстрый сканирующий электронный микроскоп в лаборатории Болина Ляо (Bolin Liao) / © Matt Perko