• Физики из Санкт-Петербургского университета и других научных центров разработали метод управления ориентацией нитевидных нанокристаллов из нитрида галлия на кремниевой пластине.
• Предложенный метод основан на использовании пористого слоя для направления роста нанокристаллов.
• Метод улучшит структурное и оптическое качество нанокристаллов и решит проблему их наклонного роста.
• Результаты исследования опубликованы в журнале Materials Science in Semiconductor Processing.
• Нитрид галлия и родственные полупроводники широко используются в микросветодиодах, нанолазерах и других светоизлучающих устройствах.
• Однако формирование таких полупроводников на кремниевых подложках сталкивается с ограничениями из-за различий в кристаллических решетках.
• Новый метод позволяет формировать пористый слой на поверхности кремния, который служит естественным шаблоном для роста кристаллов.
• Полученные нанокристаллы преимущественно ориентированы вертикально, и их интенсивность излучения света увеличилась более чем в три раза.
• Улучшение оптических свойств связано с повышением кристаллического качества наноструктур, а не с увеличением числа излучающих центров.
• Метод может привести к созданию гибридных устройств на стандартных кремниевых пластинах без дополнительных дорогостоящих операций.