Экситоны в полупроводниках удивили ученых своими свойствами

Ученые из МФТИ, Института теоретической физики имени Ландау и Физико-технического института имени А. Ф. Иоффе исследовали диффузию экситонов в муаровых сверхрешетках переходных металлов.
Работа опубликована в журнале Physical Review B и частично поддержана проектом РНФ.
Экситоны в муаровых сверхрешетках локализованы в потенциальных ямах, но могут эффективно перемещаться благодаря взаимодействию с электромагнитным полем.
Это открытие открывает перспективы для исследования фундаментальных транспортных и оптических эффектов на экситонах и создания новых типов оптоэлектронных устройств.
Ключевым фактором является диполь-дипольное взаимодействие между экситонами, которое позволяет им эффективно распространяться в муаровых сверхрешетках.
Исследование показывает, что экситоны демонстрируют линейную дисперсию энергии и зависимость коэффициента диффузии от температуры, что указывает на новые механизмы переноса.
Изучение экситонов и их взаимодействий в муаровых сверхрешетках имеет важное значение для разработки высокоэффективных оптоэлектронных устройств, солнечных элементов и квантовых компьютеров.