• Ученые ДВФУ и Курчатовского института создали двумерный альтермагнетик толщиной в один атомный слой.
• Это прорывное достижение открывает путь к созданию устройств спинтроники нового поколения.
• Альтермагнетики объединяют лучшие свойства ферромагнетиков и антиферромагнетиков.
• Для интеграции в современные технологии требовался монослойный формат, совместимый с кремниевой платформой.
• Ученые синтезировали на кремнии пленки на основе редкоземельного элемента гадолиния.
• Разработана технология создания аналогичных редкоземельных альтермагнитов на основе германия.
• Разработанная технология делает возможным создание спинтронных устройств для обработки информации с помощью спина электрона.
• Это станет основой для нового поколения микропроцессоров и чипов памяти, потребляющих минимальное количество энергии и работающих на высоких скоростях.