• Ученые из ИФП СО РАН усовершенствовали пленки хай-кей диэлектрика на основе диоксида гафния.
• Исследование проводилось на пленках внутри кремния.
• Диэлектрик с высокой диэлектрической проницаемостью (high-k) позволяет увеличить толщину подзатворного диэлектрика и снизить утечки.
• Исследуемый диэлектрик обладает сегнетоэлектрическими свойствами и может сохранять поляризацию после снятия внешнего электрического поля.
• Диоксид гафния (HfO2) является одним из исследуемых high-k диэлектриков.
• Диоксид кремния (SiO2) обычно используется в затворах транзисторов, но его можно заменить на high-k диэлектрик.
• Владимир Жилицкий работает над исследованием под руководством Владимира Попова.
• Цель исследования - создание полупроводниковых устройств с более низким напряжением питания и электропотреблением.

То, что тонкий слой диоксида гафния окружен кремнием с обеих сторон, позволяет применять такие пластины для создания двухзатворных транзисторов с регулируемым порогом срабатывания: один затвор с high-k диэлектриком управляет порогом срабатывания другого. Это открывает возможность настраивать электронику на энергоэффективную работу при низких напряжениях или на работу на высоких частотах. Сегнетоэлектрические свойства диоксида гафния также позволяют использовать такие структуры, как ячейки энергонезависимой памяти — потенциально более быстродействующие и износостойкие, чем флэш-память. У флэш-памяти ресурс порядка 10 000 циклов записи, а у памяти на основе диоксида гафния он может быть на много порядков выше. Информация взята с портала «Научная Россия» (https://scientificrussia.ru/)