- Сибирские физики научились управлять свойствами поверхности кремния с помощью осаждения атомов олова.
- Научный сотрудник Алексей Петров получил премию имени Константина Константиновича Свиташева за цикл работ по исследованию атомарных процессов на поверхности кремния.
- Современная электроника работает быстрее и становится компактнее благодаря уменьшению размеров ключевых элементов.
- Контроль поведения поверхности материалов на атомарном уровне определяет свойства гаджетов будущего.
- Кремний является основой большинства микросхем, поэтому важно уметь управлять свойствами его ростовой поверхности.
- Метод молекулярно-лучевой эпитаксии обеспечивает точность при выращивании полупроводниковых гетероструктур.
- Ученых и технологов интересуют структуры на основе кремния, германия и олова, совместимые с кремниевой технологией производства электроники.
«В ключевой работе, вышедшей в журнале Applied Surface Science в 2023 г., приведены самые яркие результаты с точки зрения наглядного представления физики процессов при нанесении металлических покрытий на поверхность кремния. В исследовании мы впервые показали, как может перераспределяться олово по поверхности в процессе осаждения, как оно может перемешиваться с атомами кремния, всегда присутствующими на ростовой поверхности. Продемонстрировали, как оловянное покрытие меняет структуру поверхности кремния. Уже в этой работе сделали предположение, что, меняя скорость осаждения олова и температуру подложки, можно варьировать структуру формируемого примесного покрытия. То есть менять свойства двумерного оловянного покрытия от чисто металлических к полупроводниковым из-за увеличения доли кремния в нём», — подчеркивает победитель конкурса.