• Разработана технология управления ростом наноструктур на кремниевой поверхности.
• Технология открывает возможности для создания более быстрых и энергоэффективных фотонных чипов и оптических сенсоров.
• Управление процессом роста наноструктур осуществляется с высокой точностью и без сложных промежуточных этапов.
• Технология является гибкой, менее затратной и позволяет создавать новые фотонные компоненты непосредственно на кремниевых чипах.
• Рост наноструктур управляется количеством ионов галлия, попадающих в определенную область кремния.
• Новый подход позволяет отказаться от сложных и дорогостоящих технологических операций при создании элементов интегральной кремниевой фотоники.
• В будущем подобные технологии могут использоваться для создания компактных лазеров, сенсоров, оптических вычислительных систем и других устройств.

«Сегодня одна из главных задач в фотонике - научиться размещать наноструктуры именно там, где они нужны будущему устройству. Наш подход позволяет управлять этим процессом с высокой точностью и без сложных промежуточных этапов. Это делает технологию более гибкой, менее затратной и открывает возможности для создания новых фотонных компонентов непосредственно на самих кремниевых чипах», - приводятся в сообщении слова одного из авторов исследования, младшего научного сотрудника лаборатории эпитаксиальных технологий Передовой инженерной школы ЮФУ Никиты Шандыбы.

«Наш следующий шаг в развитие темы - создание функционирующих прототипов устройств (источника и приемника оптического излучения) на основе полученных материалов и разработанных подходов. Параллельно ведутся работы по интеграции предложенных методик в типовые технологические маршруты изготовления полупроводниковых приборов и, при необходимости, их адаптации к требованиям мелкосерийного производства», - сказал руководитель направления и лаборатории эпитаксиальных технологий, ведущий научный сотрудник Максим Солодовник, чьи слова приводит пресс-служба.