• Казанский федеральный университет предложил новый подход к созданию масштабируемых квантовых устройств на основе карбида кремния.
• Ученые исследовали азот-вакансионные центры в кристалле SiC политипа 6H, обладающие уникальными квантовыми свойствами.
• Карбид кремния - высокотехнологичный промышленный полупроводник, подходящий для создания крупных и высококачественных пластин.
• Такой подход открывает путь к массовому производству квантовых чипов с высоким уровнем интеграции, надежности и повторяемости параметров.
• Эксперименты показали высокие значения коэффициента преобразования оптического излучения в спиновую намагниченность и длительное время «жизни» спиновых дефектов.
• Оптические переходы в кристалле SiC происходят в ближней инфракрасной области, что делает их перспективными для квантовых коммуникаций на большие расстояния.
• Исследования проводятся в сотрудничестве с Физико-техническим институтом им. А. Ф. Иоффе РАН.