Исследователь создал прототип памяти с плотностью 447 Тбайт на 1 см2

Исследователь Илия Толи создал прототип энергонезависимой памяти на основе флюорографана.
Прототип уже работает и вызвал дискуссии на Hacker News и Reddit.
В основе памяти лежит однослойный флюорографан, каждый атом фтора выступает как переключатель бита.
Переключение требует 4,6-4,8 эВ, что ниже энергии разрушения связи C-F (5,6 эВ).
На одном квадратном сантиметре можно записать 447 Тбайт данных, без затрат энергии на поддержание бита.
Плотность памяти в объемной конфигурации достигает от 0,4 до 9 зеттабайт на 1 см³.
Совокупная пропускная способность контроллера - до 25 Пбайт/с.
Прототип реализован с одноуровневым подходом на сканирующем зонде, для многоуровневой архитектуры разрабатывается беспроводной интерфейс на инфракрасном излучении.
Технология пока не прошла рецензирование, но вызвала активное обсуждение на различных площадках.
Дальнейшее развитие зависит от масштабирования производства флюорографана и интеграции в промышленность.