• Разработан новый многослойный компьютерный чип для ИИ с высокой плотностью вертикальных соединений и продуманным сочетанием памяти и вычислительных блоков.
• Новый чип превосходит 2D-аналоги примерно на порядок в аппаратных тестах и моделировании.
• Проблема «стены памяти» - состояние, в котором скорость обработки превышает способность чипа передавать данные - решается благодаря вертикальной интеграции памяти и вычислительных систем.
• Вместо послойного изготовления 3D-чипа команда создавала каждый слой непосредственно поверх предыдущего, в едином непрерывном процессе.
• Такой метод позволяет укладывать компоненты и соединять их гораздо плотнее.
• Прототип нового чипа уже превосходит сопоставимые 2D-чипы примерно в четыре раза, а моделирование показывает до 12-кратного прироста производительности в реальных задачах ИИ.
• Архитектура нового чипа открывает путь к 100-1000-кратному улучшению произведения мощности на задержку, ключевого показателя для ИИ.
• За счет резкого сокращения передачи данных и добавления множества вертикальных путей чип может достичь высокой пропускной способности и низкого энергопотребления на операцию.

Новый чип решает проблему «стены памяти», вырастая вверх, пишет Stanford News.

«Это открытие — путь к новой эре производства микросхем и инновациям, — сказал Субхасиш Митра из Стэнфордского университета, ведущий исследователь. — Именно такие прорывы позволят нам достичь тысячекратного повышения производительности оборудования, которое потребуется будущим системам искусственного интеллекта».